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BC817-40LT1G

  • 品牌:

    ON SEMICONDUCTOR

  • 封装:

    SOT-23-3

  • 数量:

    5000

  • 备注:

    产品状态在售 晶体管类型NPN 电流-集电极(Ic)500mA 电压-集射极击穿45V 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降700mV@50mA,500mA 电流-集电极截止100nA(ICBO) 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)250@100mA,1V 功率300mW 频率-跃迁100MHz 工作温度-65°C~150°C(TJ) 安装类型表面贴装型 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装SOT-23-3(TO-236) 基本产品编号BC817

  • 批号:

    2304

  • 价格:

    1+

BFP450H6327XTSA1

  • 品牌:

    INFINEON

  • 封装:

    Reel

  • 数量:

    11088

  • 备注:

    晶体管类型NPN 电压-集射极击穿5V 频率-跃迁24GHz 噪声系数1.25dB@1.8GHz 增益15.5dB 功率450mW 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)60@50mA,4V 电流-集电极(Ic)100mA 工作温度150°C(TJ) 安装类型表面贴装型 封装/外壳SC-82A,SOT-343 供应商器件封装PG-SOT343-3D 基本产品编号BFP450

  • 批号:

    23+

  • 价格:

    1+

BSC117N08NS5ATMA1

  • 品牌:

    INFINEON

  • 封装:

    标准封装

  • 数量:

    1848

  • 备注:

    FET类型N通道 技术MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss)80V 25°C时电流-连续漏极(Id)49A(Tc) 驱动电压6V,10V 不同Id、Vgs时导通电阻11.7毫欧@25A,10V 不同Id时Vgs(th)3.8V@22μA 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)18nC@10V Vgs±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)1300pF@40V FET功能- 功率耗散2.5W(Ta),50W(Tc) 工作温度-55°C~150°C(TJ) 安装类型表面贴装型 供应商器件封装PG-TDSON-8-7 封装/外壳8-PowerTDFN 基本产品编号BSC117

  • 批号:

    2228

  • 价格:

    1+

MMBT4401

  • 品牌:

    CJ

  • 封装:

    SOT-23

  • 数量:

    5985

  • 备注:

    晶体管类型NPN 电流-集电极(Ic)600mA 电压-集射极击穿40V 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降750mV@50mA,500mA 电流-集电极截止100nA 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)100@150mA,1V 功率350mW 频率-跃迁250MHz 工作温度-55°C~150°C(TJ) 安装类型表面贴装型 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装SOT-23-3L

  • 批号:

    2023/06

  • 价格:

    1+

PMBT3904,215

  • 品牌:

    NEXPERIA

  • 封装:

    SOT-23

  • 数量:

    83773

  • 备注:

    晶体管类型NPN 电流-集电极(Ic)(大值)200mA 电压-集射极击穿(大值)40V 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降(大值)300mV@5mA,50mA 电流-集电极截止(大值)50nA(ICBO) 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(小值)100@10mA,1V 功率-大值250mW 频率-跃迁300MHz 工作温度150°C(TJ) 等级汽车级 资质AEC-Q101 安装类型表面贴装型 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装TO-236AB

  • 批号:

    2434

  • 价格:

    1+

ZVN3306FTA

  • 品牌:

    DIODES INCORPORATED

  • 封装:

    SOT-23

  • 数量:

    3353

  • 备注:

    FET类型N通道 技术MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss)60V 25°C时电流-连续漏极(Id)150mA(Ta) 驱动电压(大RdsOn,小RdsOn)10V 不同Id、Vgs时导通电阻(大值)5欧姆@500mA,10V 不同Id时Vgs(th)(大值)2.4V@1mA Vgs(大值)±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(大值)35pF@18V FET功能- 功率耗散(大值)330mW(Ta) 工作温度-55°C~150°C(TJ) 安装类型表面贴装型 供应商器件封装SOT-23-3 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 批号:

    2134

  • 价格:

    1+

北京天阳诚业科贸有限公司

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    王伟越

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